MMBT5087LT3G, Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT5087LT3G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT5087LT3G, Bipolar Transistors - BJT 50mA ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
61
+
Бонус: 1.22 !
Бонусная программа
Итого: 61
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 50mA 50V PNP
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина2.9 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)250
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.05 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)3 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
непрерывный коллекторный ток0.05 A
партномер8005371639
pd - рассеивание мощности225 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)40 MHz
размер фабричной упаковки10000
серияMMBT5087L
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:31:03
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль