MMBT489LT1G, Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:MMBT489LT1G
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 2 А
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo
50 V
collector-emitter saturation voltage
0.2 V
collector- emitter voltage vceo max
30 V
configuration
Single
continuous collector current
1 A
dc collector/base gain hfe min
300
emitter- base voltage vebo
5 V
factory pack quantity
3000
gain bandwidth product ft
100 MHz
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer
ON Semiconductor
maximum dc collector current
1 A
maximum operating temperature
+150 C
minimum operating temperature
-55 C
mounting style
SMD/SMT
package / case
SOT-23-3
packaging
Cut Tape or Reel
партномер
8001062347
pd - power dissipation
310 mW
product category
Bipolar Transistors-BJT
product type
BJTs-Bipolar Transistors
series
MMBT489
subcategory
Transistors
transistor polarity
NPN
Время загрузки
2:06:58
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26