MMBT4401WT1G, Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT4401WT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT4401WT1G, Bipolar Transistors - BJT 600mA ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.028
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
49
+
Бонус: 0.98 !
Бонусная программа
Итого: 49
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.028
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo60 V
collector-emitter saturation voltage0.75 V
collector- emitter voltage vceo max40 V
configurationSingle
continuous collector current0.6 A
dc collector/base gain hfe min20
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft250 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current0.6 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSC-70-3
packagingCut Tape or Reel
партномер8006227095
pd - power dissipation150 mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
seriesMMBT4401WT1
subcategoryTransistors
transistor polarityNPN
Время загрузки1:29:08
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль