MMBT4401WT1G, 40V 150mW 100@150mA,1V 600mA 250MHz 750mV@500mA,50mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-323(SC-70) BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT4401WT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT4401WT1G, 40V 150mW 100@150mA,1V 600mA ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.028
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
11
+
Бонус: 0.22 !
Бонусная программа
Итого: 11
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.028
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo60 V
collector-emitter saturation voltage0.75 V
collector- emitter voltage vceo max40 V
configurationSingle
continuous collector current0.6 A
dc collector/base gain hfe min20
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft250 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current0.6 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSC-70-3
packagingCut Tape or Reel
партномер8017599059
pd - power dissipation150 mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
seriesMMBT4401WT1
subcategoryTransistors
transistor polarityNPN
Время загрузки0:17:02
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль