MMBT4401G-AE3-R — купить | ООО «Телеметрия» 


MMBT4401G-AE3-R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage40V
maximum dc collector current600mA
pd - power dissipation350mW
6
- +
Бонус: 0.12 !
Бонусная программа
Итого: 6
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage40V
maximum dc collector current600mA
pd - power dissipation350mW
transistor typeNPN
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль