MMBT4126LT3G, Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 20V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT4126LT3G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT4126LT3G, Bipolar Transistors - BJT SS GP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
49
+
Бонус: 0.98 !
Бонусная программа
Итого: 49
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR PNP 20V
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина2.9 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.2 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)4 V
напряжение коллектор-база (vcbo)25 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.25 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.4 V
непрерывный коллекторный ток200 mA
партномер8005526281
pd - рассеивание мощности225 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)250 MHz
размер фабричной упаковки10000
серияMMBT4126LT1
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:29:11
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль