MMBT3906LT3G, Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT3906LT3G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT3906LT3G, Bipolar Transistors - BJT 200mA ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
34
+
Бонус: 0.68 !
Бонусная программа
Итого: 34
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:40 V
collector-emitter saturation voltage:400 mV
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Single
continuous collector current:-0.2 A
dc collector/base gain hfe min:60
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:10000
gain bandwidth product ft:250 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum collector base voltage-40 V dc
maximum collector emitter voltage40 V
maximum dc collector current800 mA
maximum dc collector current:200 mA
maximum emitter base voltage-5 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation225 mW
minimum dc current gain100
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package/case:SOT-23-3
package typeSOT-23
партномер8007236539
pd - power dissipation:225 mW
pin count3
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:MMBT3906L
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarity:PNP
transistor typePNP
Время загрузки0:17:10
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль