Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT AF TRANS GP BJT PNP 40V 0.2A

Подробное описание

Вес и габариты
другие названия товара №	MMBT 3906 LT1 SP000011678
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single

Все характеристики

92 ₽

– +

Бонус: 1.84 !

Бонусная программа

Итого: 92 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
другие названия товара №	MMBT 3906 LT1 SP000011678
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.4 V
непрерывный коллекторный ток	200 mA
pd - рассеивание мощности	330 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	250 MHz
размер фабричной упаковки	3000
серия	MMBT3906
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка / блок	SOT-23-3
вес, г	0.008
вид монтажа	SMD/SMT

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

MMBT3906LT1HTSA1