MMBT3906LT1H, Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR PBFREE
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:MMBT3906LT1H
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT SS SOT23 GP XSTR PBFREE
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
0.008
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft
250МГц
collector emitter voltage max
40В
continuous collector current
200мА
dc current gain hfe min
30hFE
dc усиление тока hfe
30hFE
factory pack quantity
3000
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
количество выводов
3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура
150°C
manufacturer
ON Semiconductor
монтаж транзистора
Surface Mount
packaging
Reel
партномер
8005526280
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
PNP
power dissipation
225мВт
product category
Bipolar Transistors-BJT
размер фабричной упаковки
3000
rohs
Details
серия
MMBT3906L
стиль корпуса транзистора
SOT-23
технология
Si
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
ON Semiconductor
уровень чувствительности к влажности (msl)
MSL 1-Безлимитный
Время загрузки
1:29:17
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26