MMBT3906LT1G, MMBT3906LT1G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT3906LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT3906LT1G, MMBT3906LT1G
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
Структураpnp
2
+
Бонус: 0.04 !
Бонусная программа
Итого: 2
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
транзисторы биполярные импортныеБиполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
Структураpnp
БрендON Semiconductor***
Основные
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В40
КорпусSOT-23-3
диапазон рабочих температур, ос-55…150
граничная частота коэффициента передачи тока fгр.мгц250
hfe при напряжении к-э, в1
hfe при токе коллектора, а0.05
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
максимальная рассеиваемая мощность ,вт0.225
максимально допустимый ток к ( iк макс.а)0.2
макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(uкэо макс),в40
maximum collector base voltage40 V
maximum collector emitter voltage40 V
maximum dc collector current200 mA
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency250 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation300 mW
minimum dc current gain100
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typeSOT-23
партномер8622168040
pin count3
статический коэффициент передачи тока hfe мин60
transistor configurationSingle
transistor typePNP
Время загрузки0:24:30
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль