Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
Дата загрузки
22.02.2024
Информация о производителе
Производитель
DIODES INC.
Бренд
DIODES INC.
Основные
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
40 V
непрерывный коллекторный ток
200 mA
партномер
8007598746
pd - рассеивание мощности
250 mW
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
PNP
размер фабричной упаковки
10000
серия
MMBT39
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
Diodes Incorporated
упаковка / блок
X1-DFN1006-3
вид монтажа
SMD/SMT
Время загрузки
22:24:58
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26