MMBT3906LP-7B, 50nA 40V 400mW 100@10mA,1V 200mA 300MHz 400mV@50mA,5mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) DFN-3(1x0.6) BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT3906LP-7B
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMBT3906LP-7B, 50nA 40V 400mW 100@10mA,1V ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
27
+
Бонус: 0.54 !
Бонусная программа
Итого: 27
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
непрерывный коллекторный ток200 mA
партномер8017642757
pd - рассеивание мощности250 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
размер фабричной упаковки10000
серияMMBT39
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокX1-DFN1006-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки21:56:55
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль