MMBT3906LP-7, Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT3906LP-7
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMBT3906LP-7, Trans GP BJT PNP 40V 0.2A ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
13
+
Бонус: 0.26 !
Бонусная программа
Итого: 13
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS PNP
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberMMBT3906 ->
частота перехода ft300МГц
continuous collector current200мА
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)200mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 10mA, 1V
dc усиление тока hfe30hFE
eccnEAR99
frequency - transition300MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30
конфигурацияSingle
квалификация-
линейка продукции-
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.4 V
непрерывный коллекторный ток200 mA
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case3-XFDFN
партномер8001286494
pd - рассеивание мощности250 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power dissipation1Вт
power - max250mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
серияMMBT39
стиль корпуса транзистораX1-DFN1006
supplier device package3-X1DFN1006
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typePNP
упаковка / блокDFN1006-3
vce saturation (max) @ ib, ic400mV @ 5mA, 50mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)40V
Время загрузки21:56:58
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль