Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 40V PNP SM Trans 435mW -40V Vceo

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C

Все характеристики

93 ₽

– +

Бонус: 1.86 !

Бонусная программа

Итого: 93 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	500 mA
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.25 V
pd - рассеивание мощности	435 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	300 MHz
размер фабричной упаковки	10000
серия	MMBT39
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	X2-DFN0806-3
вес, г	8
вид монтажа	SMD/SMT

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

MMBT3906FA-7B