MMBT3906FA-7B, Bipolar Transistors - BJT 40V PNP SM Trans 435mW -40V Vceo

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT3906FA-7B
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMBT3906FA-7B, Bipolar Transistors - BJT 40V ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г8
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 40V PNP SM Trans 435mW -40V Vceo
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г8
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора500 mA
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.25 V
партномер8005060021
pd - рассеивание мощности435 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
размер фабричной упаковки10000
серияMMBT39
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокX2-DFN0806-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:25:01
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль