MMBT3904W_R1_00001, Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSES WITCHINGTRANSISTOR VCE40V IC200mA SOT-323

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT3904W_R1_00001
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Panjit MMBT3904W_R1_00001, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительPanJit Semiconductors
БрендPanJit Semiconductors
46
+
Бонус: 0.92 !
Бонусная программа
Итого: 46
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительPanJit Semiconductors
БрендPanJit Semiconductors
Основные
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter breakdown voltage40V
collector-emitter saturation voltage:300 mV
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Single
continuous collector current:200 mA
dc collector/base gain hfe min:100 at 10 mA, 1 V
dc current gain hfe max:300 at 10 mA, 1 V
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Panjit
maximum dc collector current200mA
maximum dc collector current:200 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-323-3
партномер8004772484
pd - power dissipation150mW
pd - power dissipation:150 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:GPT-02TAN
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
Время загрузки23:26:00
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль