MMBT3904LP-7B

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage40V
длина1 mm
Высота 0.5 мм
17
+
Бонус: 0.34 !
Бонусная программа
Итого: 17
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage40V
длина1 mm
Высота 0.5 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора200 mA
maximum dc collector current200mA
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
непрерывный коллекторный ток200 mA
pd - power dissipation250mW
pd - рассеивание мощности1 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки10000
серияMMBT3904LP
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
упаковка / блокX1-DFN1006-3
вид монтажаSMD/SMT
Ширина0.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль