MMBT3904LP-7B, 40V 250mW 100@10mA,1V 200mA 300MHz 300mV@50mA,5mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) DFN-3(1x0.6) BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT3904LP-7B
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMBT3904LP-7B, 40V 250mW 100@10mA,1V 200mA ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Высота0.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
24
+
Бонус: 0.48 !
Бонусная программа
Итого: 24
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Высота0.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
частота перехода ft300МГц
continuous collector current200мА
dc усиление тока hfe30hFE
длина1 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора200 mA
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
непрерывный коллекторный ток200 mA
партномер8017602305
pd - рассеивание мощности1 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation400мВт
размер фабричной упаковки10000
серияMMBT3904LP
стиль корпуса транзистораX1-DFN1006
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокX1-DFN1006-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки21:59:10
Ширина0.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль