Name: MMBT3904LP-7, Bipolar Transistors - BJT NPN SM SIG 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBO
Brand: DIODES INC.
SKU: MMBT3904LP-7

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMBT3904LP-7, Bipolar Transistors - BJT NPN ...

Подробное описание

Бренд: DIODES INC.

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.008
Высота	0.5 mm
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.

Все характеристики

97 ₽

– +

Бонус: 1.94 !

Бонусная программа

Итого: 97 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN SM SIG 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBO

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.008
Высота	0.5 mm
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.
Основные
base product number	MMBT3904 ->
current - collector (ic) (max)	200mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	100 @ 10mA, 1V
длина	1 mm
eccn	EAR99
frequency - transition	300MHz
htsus	8541.21.0075
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	300
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	200 mA
минимальная рабочая температура	55 C
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.3 V
непрерывный коллекторный ток	200 mA
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	3-UFDFN
партномер	8004613481
pd - рассеивание мощности	1 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
power - max	250mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	300 MHz
размер фабричной упаковки	3000
reach status	REACH Unaffected
rohs status	ROHS3 Compliant
series	Automotive, AEC-Q101 ->
серия	MMBT3904LP
supplier device package	3-X1DFN1006
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
transistor type	NPN
упаковка / блок	X1-DFN1006-3
vce saturation (max) @ ib, ic	300mV @ 5mA, 50mA
вид монтажа	SMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)	40V
Время загрузки	22:24:38
Ширина	0.6 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

DIODES INC.Транзисторы биполярные (BJTs)MMBT3904LP MMBT3904LP-7