MMBT3904FA-7B, 40V 435mW 100@10mA,1V 200mA 300MHz 300mV@50mA,5mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) DFN-3L(0.6x0.8) BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT3904FA-7B
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMBT3904FA-7B, 40V 435mW 100@10mA,1V 200mA ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
45
+
Бонус: 0.9 !
Бонусная программа
Итого: 45
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 40V NPN SM Trans 435mW 40V Vceo
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector-emitter breakdown voltage40V
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300 at 10 mA, 1 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30 at 100 mA, 1 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.2 A
maximum dc collector current200mA
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
непрерывный коллекторный ток0.2 A
партномер8017602086
pd - power dissipation435mW
pd - рассеивание мощности435 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
размер фабричной упаковки10000
серияMMBT3904FA
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
упаковка / блокX2-DFN0806-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки21:59:13
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль