MMBT2907A_R1_00001, 10nA 60V 225mW 100@150mA,10V 600mA 200MHz 1.6V@500mA,50mA PNP -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT2907A_R1_00001
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Panjit MMBT2907A_R1_00001, 10nA 60V 225mW ...
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительPanJit Semiconductors
БрендPanJit Semiconductors
12
+
Бонус: 0.24 !
Бонусная программа
Итого: 12
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительPanJit Semiconductors
БрендPanJit Semiconductors
Основные
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter breakdown voltage60V
collector-emitter saturation voltage:1.6 V
collector- emitter voltage vceo max:60 V
configuration:Single
continuous collector current:-600 mA
dc collector/base gain hfe min:100 at-150 mA, -10 V
dc current gain hfe max:300 at-150 mA, -10 V
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:200 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Panjit
maximum dc collector current600mA
maximum dc collector current:600 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-23-3
партномер8015870822
pd - power dissipation225mW
pd - power dissipation:225 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:GPT-02TP
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
transistor typePNP
Время загрузки23:26:09
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль