MMBT2222LT1G, Транзистор: NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT2222LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT2222LT1G, Транзистор: NPN
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
16
+
Бонус: 0.32 !
Бонусная программа
Итого: 16
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo60 V
collector-emitter saturation voltage1.6 V
collector- emitter voltage vceo max30 V
configurationSingle
continuous collector current0.6 A
dc current gain hfe max300
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft250 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum collector base voltage60 V dc
maximum collector emitter voltage30 V
maximum dc collector current0.6 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation225 mW
minimum dc current gain100
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / caseSOT-23-3
package typeSOT-23
packagingCut Tape or Reel
партномер8017547817
pd - power dissipation225 mW
pin count3
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
seriesMMBT2222L
subcategoryTransistors
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
Время загрузки0:17:37
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль