MMBT2222AWT1G, Транзистор NPN, биполярный, 40В, 0,6А, 150мВт, SC70

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT2222AWT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT2222AWT1G, Транзистор NPN, биполярный ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
15
+
Бонус: 0.3 !
Бонусная программа
Итого: 15
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
The MMBT2222AWT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications. • Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life• Package saves board space• AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft300МГц
collector emitter voltage max40В
continuous collector current600мА
dc current gain hfe min35hFE
dc усиление тока hfe35hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
квалификацияAEC-Q101
линейка продукцииMMBTxxxx
максимальная рабочая температура150 C
maximum collector base voltage75 V
maximum collector emitter voltage40 V
maximum dc collector current600 mA
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation150 mW
minimum dc current gain100
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typeSOT-323(SC-70)
партномер8002525388
pin count3
полярность транзистораNPN
power dissipation150мВт
стиль корпуса транзистораSOT-323
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Время загрузки0:17:40
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль