MMBT2222AWT1G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT2222AWT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT2222AWT1G, Биполярный транзистор, NPN ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
4
+
Бонус: 0.08 !
Бонусная программа
Итого: 4
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
Корпусsot-323
частота перехода ft300МГц
collector emitter voltage max40В
continuous collector current600мА
dc current gain hfe min35hFE
dc усиление тока hfe35hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
квалификацияAEC-Q101
линейка продукцииMMBTxxxx
максимальная рабочая температура150 C
maximum collector base voltage75 V
maximum collector emitter voltage40 V
maximum dc collector current600 mA
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation150 mW
minimum dc current gain100
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typeSOT-323(SC-70)
партномер8105184743
pin count3
полярность транзистораNPN
power dissipation150мВт
стиль корпуса транзистораSOT-323
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Время загрузки0:24:01
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль