MMBT2222ATT3G, Bipolar Transistors - BJT SS SC75 GP XSTR NPN 75V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT2222ATT3G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT2222ATT3G, Bipolar Transistors - BJT SS ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
43
+
Бонус: 0.86 !
Бонусная программа
Итого: 43
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:75 V
collector-emitter saturation voltage:1 V
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Single
continuous collector current:600 mA
dc collector/base gain hfe min:35
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:10000
gain bandwidth product ft:300 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:600 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-416-3
партномер8004738663
pd - power dissipation:150 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:MMBT2222AT
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки1:29:41
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль