MMBT2222ATT1G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.15 Вт
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT2222ATT1G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.15 Вт
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 02.05.2024 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| Корпус | SC-75 |
| automotive | No |
| частота перехода ft | 300МГц |
| collector- base voltage vcbo | 75 V |
| collector-emitter saturation voltage | 1 V |
| collector emitter voltage max | 40В |
| collector- emitter voltage vceo max | 40 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 0.6 A |
| dc collector/base gain hfe min | 35 |
| dc current gain hfe min | 35hFE |
| dc усиление тока hfe | 35hFE |
| eccn (us) | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo | 6 V |
| eu rohs | Compliant |
| factory pack quantity | 3000 |
| gain bandwidth product ft | 300 MHz |
| hts | 8541.29.00.95 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | 150°C |
| manufacturer | ON Semiconductor |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.2@15mA@150mA|2@50mA@500mA |
| maximum collector base voltage (v) | 75 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.3@15mA@150mA|1@50mA@500mA |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 40 |
| maximum dc collector current | 0.6 A |
| maximum dc collector current (a) | 0.6 |
| maximum emitter base voltage (v) | 6 |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 150 |
| maximum transition frequency (mhz) | 300(Min) |
| military | No |
| minimum dc current gain | 35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|40@500mA@10V |
| minimum operating temperature | -55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| монтаж транзистора | Surface Mount |
| mounting | Surface Mount |
| mounting style | SMD/SMT |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | SC-75-3 |
| package height | 0.75 |
| package length | 01.06.2024 |
| package width | 0.8 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8001920776 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation | 150 mW |
| pin count | 3 |
| полярность транзистора | NPN |
| power dissipation | 150мВт |
| product category | Bipolar Small Signal |
| product type | BJTs-Bipolar Transistors |
| series | MMBT2222AT |
| standard package name | SOT |
| стиль корпуса транзистора | SOT-416 |
| subcategory | Transistors |
| supplier package | SOT-416 |
| transistor polarity | NPN |
| type | NPN |
| уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
| Время загрузки | 0:24:01 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![КИПД43Б-2К светодиодный индикатор "вольтажный" красный, 45мм, 60", 2.5мКд, 12В](/wa-data/public/shop/products/61/90/19061/images/26138/26138.300x0.jpg "КИПД43Б-2К светодиодный индикатор "вольтажный" красный, 45мм, 60", 2.5мКд, 12В")
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
