MMBT2222AT-7-F, Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT2222AT-7-F
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 40V 150mW
| Вес и габариты | |
| base product number | MMBT2222 -> |
| collector- base voltage vcbo | 75 V |
| collector-emitter saturation voltage | 1 V |
| collector- emitter voltage vceo max | 40 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 0.6 A |
| current - collector cutoff (max) | 10nA (ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 600mA |
| dc collector/base gain hfe min | 75 |
| dc current gain hfe max | 375 |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 100 @ 150mA, 10V |
| длина | 1.6 mm |
| eccn | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo | 6 V |
| factory pack quantity | 3000 |
| frequency - transition | 300MHz |
| gain bandwidth product ft | 300 MHz |
| Высота | 0.75 мм |
| htsus | 8541.21.0075 |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 375 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 75 |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
| manufacturer | Diodes Incorporated |
| maximum dc collector current | 0.6 A |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature | -55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting style | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 75 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 40 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| непрерывный коллекторный ток | 0.6 A |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | SOT-523 |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| pd - power dissipation | 150 mW |
| pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power - max | 150mW |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| product type | BJTs-Bipolar Transistors |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 300 MHz |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| серия | MMBT2222 |
| subcategory | Transistors |
| supplier device package | SOT-523 |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor polarity | NPN |
| transistor type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-523-3 |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 40V |
| Ширина | 0.8 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26