MMBT2222AT-7-F, Bipolar Transistors - BJT 40V 150mW

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT2222AT-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMBT2222AT-7-F, Bipolar Transistors - BJT 40V ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.002
Высота0.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
97
+
Бонус: 1.94 !
Бонусная программа
Итого: 97
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 40V 150mW
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.002
Высота0.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberMMBT2222 ->
collector- base voltage vcbo75 V
collector-emitter saturation voltage1 V
collector- emitter voltage vceo max40 V
configurationSingle
current - collector cutoff (max)10nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)600mA
dc collector/base gain hfe min75
dc current gain hfe max375
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 150mA, 10V
длина1.6 mm
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity3000
frequency - transition300MHz
gain bandwidth product ft300 MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.375
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)75
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.6 A
manufacturerDiodes Incorporated
maximum collector base voltage75 V
maximum collector emitter voltage40 V
maximum dc collector current0.6 A
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating frequency300 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation150 mW
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100
minimum operating temperature-55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)75 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1 V
непрерывный коллекторный ток0.6 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-523
package typeSOT-523(SC-89)
packagingCut Tape or Reel
партномер8005060014
pd - power dissipation150 mW
pd - рассеивание мощности150 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max150mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
серияMMBT2222
subcategoryTransistors
supplier device packageSOT-523
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-523-3
vce saturation (max) @ ib, ic1V @ 50mA, 500mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)40V
Время загрузки22:25:06
Ширина0.8 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль