MMBT2222ALT3G, Транзистор: NPN; биполярный; 40В; 0,6А; 0,225/0,3Вт; SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT2222ALT3G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT2222ALT3G, Транзистор: NPN; биполярный ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.04
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
12
+
Бонус: 0.24 !
Бонусная программа
Итого: 12
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.04
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:75 V
collector-emitter saturation voltage:1 V
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Single
continuous collector current:600 mA
dc collector/base gain hfe min:35
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:10000
gain bandwidth product ft:300 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum collector base voltage75 V
maximum collector emitter voltage40 V
maximum dc collector current600 mA
maximum dc collector current:600 mA
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation225 mW
minimum dc current gain100
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / case:SOT-23-3
package typeSOT-23
партномер8018072196
pd - power dissipation:225 mW
pin count3
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:MMBT2222AL
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
Время загрузки0:17:41
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль