MMBT2222A_R1_00001, Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSES WITCHINGTRANSISTOR VCE40V IC600mA SOT-23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT2222A_R1_00001
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Panjit MMBT2222A_R1_00001, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительPanJit Semiconductors
БрендPanJit Semiconductors
46
+
Бонус: 0.92 !
Бонусная программа
Итого: 46
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительPanJit Semiconductors
БрендPanJit Semiconductors
Основные
collector- base voltage vcbo:75 V
collector-emitter breakdown voltage40V
collector-emitter saturation voltage:1 V
collector- emitter voltage vceo max:45 V
configuration:Single
continuous collector current:600 mA
dc collector/base gain hfe min:100 at 150 mA, 10 V
dc current gain hfe max:300 at 150 mA, 10 V
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Panjit
maximum dc collector current600mA
maximum dc collector current:600 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-23-3
партномер8004772482
pd - power dissipation225mW
pd - power dissipation:225 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:GPT-03TN
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
Время загрузки23:26:11
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль