MMBT2222A-7-F, Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT2222A-7-F
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.3W
Дата загрузки | 22.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.05 |
Информация о производителе | |
Производитель | DIODES INC. |
Бренд | DIODES INC. |
Основные | |
aec qualified number | AEC-Q101 |
automotive | Yes |
collector- base voltage vcbo: | 75 V |
collector-emitter breakdown voltage | 40V |
collector-emitter saturation voltage: | 1 V |
collector- emitter voltage vceo max: | 40 V |
configuration | Single |
configuration: | Single |
continuous collector current: | 600 mA |
dc current gain hfe max: | 300 |
eccn (us) | EAR99 |
emitter- base voltage vebo: | 6 V |
eu rohs | Compliant |
factory pack quantity: factory pack quantity: | 3000 |
gain bandwidth product ft: | 300 MHz |
hts | 8541.29.00.95 |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
lead shape | Gull-wing |
manufacturer: | Diodes Incorporated |
maximum base emitter saturation voltage (v) | 2@50mA@500mA|1.2@15mA@150mA |
maximum collector base voltage | 75 V |
maximum collector base voltage (v) | 75 |
maximum collector cut-off current (na) | 10 |
maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.3@15mA@150mA|1@50mA@500mA |
maximum collector emitter voltage | 40 V |
maximum collector-emitter voltage (v) | 40 |
maximum dc collector current | 600mA |
maximum dc collector current: | 600 mA |
maximum dc collector current (a) | 0.6 |
maximum emitter base voltage | 6 V |
maximum emitter base voltage (v) | 6 |
maximum operating temperature | +150 °C |
maximum operating temperature: | +150 C |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation | 300 mW |
maximum power dissipation (mw) | 350 |
maximum transition frequency (mhz) | 300(Min) |
military | No |
minimum dc current gain | 50@1mA@10V|75@10mA@10V|35@0.1mA@10V|35@150mA@1V|100@150mA@10V|40@500mA@10V |
minimum operating temperature: | -55 C |
minimum operating temperature (°c) | -55 |
mounting | Surface Mount |
mounting style: | SMD/SMT |
mounting type | Surface Mount |
number of elements per chip | 1 |
package / case: | SOT-23-3 |
package height | 0.98 |
package length | 02.09.2024 |
package type | SOT-23 |
package width | 01.03.2024 |
packaging | Tape and Reel |
партномер | 8005060013 |
part status | Active |
pcb changed | 3 |
pd - power dissipation | 310mW |
pd - power dissipation: | 310 mW |
pin count | 3 |
product category | Bipolar Small Signal |
product category: | Bipolar Transistors-BJT |
product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
series: | MMBT2222 |
standard package name | SOT-23 |
subcategory: | Transistors |
supplier package | SOT-23 |
supplier temperature grade | Automotive |
technology: | Si |
transistor configuration | Single |
transistor polarity: | NPN |
transistor type | NPN |
type | NPN |
Время загрузки | 21:55:15 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26