MMBT2222A-7-F, Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT2222A-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMBT2222A-7-F, Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
43
+
Бонус: 0.86 !
Бонусная программа
Итого: 43
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.3W
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
aec qualified numberAEC-Q101
automotiveYes
collector- base voltage vcbo:75 V
collector-emitter breakdown voltage40V
collector-emitter saturation voltage:1 V
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configurationSingle
configuration:Single
continuous collector current:600 mA
dc current gain hfe max:300
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo:6 V
eu rohsCompliant
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:300 MHz
hts8541.29.00.95
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum base emitter saturation voltage (v)2@50mA@500mA|1.2@15mA@150mA
maximum collector base voltage75 V
maximum collector base voltage (v)75
maximum collector cut-off current (na)10
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.3@15mA@150mA|1@50mA@500mA
maximum collector emitter voltage40 V
maximum collector-emitter voltage (v)40
maximum dc collector current600mA
maximum dc collector current:600 mA
maximum dc collector current (a)0.6
maximum emitter base voltage6 V
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation300 mW
maximum power dissipation (mw)350
maximum transition frequency (mhz)300(Min)
militaryNo
minimum dc current gain50@1mA@10V|75@10mA@10V|35@0.1mA@10V|35@150mA@1V|100@150mA@10V|40@500mA@10V
minimum operating temperature:-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / case:SOT-23-3
package height0.98
package length02.09.2024
package typeSOT-23
package width01.03.2024
packagingTape and Reel
партномер8005060013
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation310mW
pd - power dissipation:310 mW
pin count3
product categoryBipolar Small Signal
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:MMBT2222
standard package nameSOT-23
subcategory:Transistors
supplier packageSOT-23
supplier temperature gradeAutomotive
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
typeNPN
Время загрузки21:55:15
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль