MMBT2222A,215, Bipolar Transistors - BJT MMBT2222A/SOT23/TO-236AB
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBT2222A,215
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS SW TAPE-7
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.058 |
| Высота | 1 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Nexperia B.V. |
| Бренд | Nexperia B.V. |
| Основные | |
| collector-emitter breakdown voltage | 40V |
| длина | 3 mm |
| другие названия товара № | MMBT2222A T/R |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| конфигурация | Single |
| lead finish | Tin |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
| maximum base emitter saturation voltage | 1.2@15mA@150mAI2@50mA@500mA V |
| maximum collector base voltage | 75 V |
| maximum collector emitter saturation voltage | 0.3@15mA@150mAI1@50mA@500mA V |
| maximum collector emitter voltage | 40 V |
| maximum dc collector current | 600mA |
| maximum emitter base voltage | 6 V |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum power dissipation | 250 mW |
| max processing temp | 260 |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 35@0.1mA@10VI50@1mA@10VI75@10mA@10VI100@150mA@10VI50@150mA@1VI40@500mA@10V |
| mounting | surface mount |
| mounting type | Surface Mount |
| msl level | 1 |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 75 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 40 V |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | -65 to 150 °C |
| package type | SOT-23(TO-236AB) |
| партномер | 8004727764 |
| pd - power dissipation | 250mW |
| pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| product dimensions | 3x1.4x1 mm |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 300 MHz |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| supplier package | TO-236AB |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Nexperia |
| transistor configuration | Single |
| transistor type | NPN |
| type | NPN |
| упаковка / блок | TO-236AB-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 15:15:47 |
| Ширина | 1.4 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
