MMBT100

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MMBT100
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
Высота0.93 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor General Purpose
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
Высота0.93 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft250МГц
collector emitter voltage max45В
continuous collector current500мА
dc current gain hfe min80hFE
dc усиление тока hfe80hFE
длина2.92 mm
другие названия товара №MMBT100_NL
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.450
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)75 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.4 V
непрерывный коллекторный ток0.5 A
партномер8008458590
pd - рассеивание мощности350 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation350мВт
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)250 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияMMBT100
стиль корпуса транзистораSOT-23
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блокSOT-23-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:05:20
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль