MMBT 2222A LT1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Infineon MMBT 2222A LT1
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
50
+
Бонус: 1 !
Бонусная программа
Итого: 50
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
collector- base voltage vcbo:75 V
collector-emitter saturation voltage:1 V
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Single
continuous collector current:600 mA
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:45000
gain bandwidth product ft:300 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Infineon
maximum dc collector current:600 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:SMD/SMT
package/case:SOT-23-3
партномер9000831532
part # aliases:MMBT2222ALT1XT SP000011174 MMBT2222ALT1HTSA1
pd - power dissipation:330 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:MMBT2222
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки3:26:23
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль