MJF44H11G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJF44H11G
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г2.19
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г2.19
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeThrough Hole
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)1.5@0.8A@8A
maximum collector base voltage10 V dc
maximum collector-emitter saturation voltage (v)1@0.4A@8A
maximum collector emitter voltage80 V
maximum collector-emitter voltage (v)80
maximum dc collector current10 A
maximum dc collector current (a)10
maximum emitter base voltage5 V
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating frequency20 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation36 W
maximum power dissipation (mw)2000
maximum transition frequency (mhz)50(Typ)
minimum dc current gain60
minimum operating temperature (°c)-55
mountingThrough Hole
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
package typeTO-220FP
packagingTube
партномер8024370843
part statusActive
pcb changed3
pin count3
ppapNo
product categoryBipolar Power
standard package nameTO
supplier packageTO-220FP
tabTab
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
typeNPN
Время загрузки2:06:03
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль