Name: MJF31CG
Brand: ON Semiconductor***

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJF31CG

Подробное описание

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	2.86
Высота	9.24 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***

Все характеристики

460 ₽

– +

Бонус: 9.2 !

Бонусная программа

Итого: 460 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

ЭлектроэлементTRANS, BIPOL, NPN, 100V, TO-220FP; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:10hFE; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018)

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	2.86
Высота	9.24 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
category	Bipolar Power
configuration	Single
длина	10.63 mm
frequency	3(MHz)
frequency (max)	3 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	3 A
maximum collector base voltage	100 V dc
maximum collector emitter voltage	100 V
maximum dc collector current	3 A
maximum emitter base voltage	5 V
maximum operating frequency	1 MHz
maximum operating temperature	+150 °C
maximum power dissipation	28 W
минимальная рабочая температура	65 C
minimum dc current gain	10
mounting	Through Hole
mounting type	Through Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.2 V
непрерывный коллекторный ток	3 A
number of elements	1
number of elements per chip	1
operating temperature classification	Military
operating temp range	-65C to 150C
output power	Not Required(W)
package type	TO-220FP
packaging	Rail/Tube
партномер	8009257134
pd - рассеивание мощности	28 W
pin count	3+Tab
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
power dissipation	2(W)
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	3 MHz
rad hardened	No
размер фабричной упаковки	50
серия	MJF31C
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	ON Semiconductor
transistor configuration	Single
transistor polarity	NPN
transistor type	NPN
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220FP-3
вид монтажа	Through Hole
Время загрузки	0:44:26
Ширина	4.9 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)MJF31CG MJF31C