Name: MJF3055G, Bipolar Transistors - BJT 10A 90V 30W NPN
Brand: ON Semiconductor***
SKU: MJF3055G

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJF3055G, Bipolar Transistors - BJT 10A 90V ...

Подробное описание

550 ₽

– +

Бонус: 11 !

Бонусная программа

Итого: 550 ₽

Купить

The Bipolar Power Transistor is specifically designed for general purpose amplifier and switching applications.

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	02.03.2024
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
automotive	No
configuration	Single
eccn (us)	EAR99
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
lead shape	Through Hole
material	Si
maximum collector cut-off current (na)	1000
maximum collector-emitter saturation voltage (v)	1@0.4A@4A\|2.5@3.3A@10A
maximum collector emitter voltage	90(Breakdown)V dc
maximum collector-emitter voltage (v)	90
maximum dc collector current (a)	10
maximum emitter base voltage	5 V dc
maximum emitter base voltage (v)	5
maximum operating temperature	+150 °C
maximum operating temperature (°c)	150
maximum power dissipation	30 W
maximum power dissipation (mw)	2000
maximum transition frequency (mhz)	2(Min)
minimum dc current gain	20
minimum operating temperature (°c)	-55
mounting	Through Hole
mounting type	Through Hole
number of elements per chip	1
package type	TO-220
packaging	Tube
партномер	8005371493
part status	Active
pcb changed	3
pin count	3
ppap	No
product category	Bipolar Power
standard package name	TO
supplier package	TO-220FP
tab	Tab
transistor configuration	Single
transistor type	NPN
type	NPN
Время загрузки	0:51:00

Отзывов нет

Кнопки

Теги: