MJF18004G
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 5A 450V 35W NPN
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| Высота | 9.24 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| частота перехода ft | 13МГц |
| collector- base voltage vcbo | 1 kV |
| collector-emitter saturation voltage | 0.92 V |
| collector emitter voltage max | 450В |
| collector- emitter voltage vceo max | 450 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 5А |
| dc current gain hfe min | 32hFE |
| dc усиление тока hfe | 32hFE |
| длина | 10.63 mm |
| emitter- base voltage vebo | 9 V |
| factory pack quantity | 50 |
| gain bandwidth product ft | 13 MHz |
| height | 9.24 mm(Max) |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| конфигурация | Single |
| length | 10.63 mm(Max) |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| manufacturer | ON Semiconductor |
| maximum collector emitter voltage | 450 V |
| maximum dc collector current | 5 A |
| maximum emitter base voltage | 9 V |
| maximum operating frequency | 13 MHz |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 14 |
| minimum operating temperature | -65 C |
| монтаж транзистора | Through Hole |
| mounting style | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 9 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 1 kV |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 450 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.92 V |
| непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | TO-220FP-3 |
| package type | TO-220FP |
| packaging | Tube |
| партномер | 8008820230 |
| pd - power dissipation | 75 W |
| pd - рассеивание мощности | 75 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power dissipation | 280мВт |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 13 MHz |
| размер фабричной упаковки | 50 |
| rohs | Details |
| series | MJF18004 |
| серия | MJF18004 |
| стиль корпуса транзистора | ISOWATT-220 |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor configuration | Single |
| transistor polarity | NPN |
| transistor type | NPN |
| unit weight | 0.08113 oz |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| вид монтажа | Through Hole |
| Время загрузки | 0:51:02 |
| Ширина | 4.9 мм |
| width | 4.9 mm(Max) |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
