MJE802G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJE802G
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.68
Высота11.04mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, TO-225-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Case Style:TO-225; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.68
Высота11.04mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина7.74mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+150 °C
maximum collector base voltage80 V
maximum collector cut-off current0.1mA
maximum collector emitter saturation voltage3 V
maximum collector emitter voltage80 V
maximum continuous collector current4 A
maximum emitter base voltage5 V
minimum dc current gain100
minimum operating temperature-55 °C
number of elements per chip1
партномер8002981958
pin count3
размеры7.74x2.66x11.04mm
тип монтажаThrough Hole
тип упаковкиTO-225
Время загрузки0:45:35
Ширина2.66 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль