MJE800G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJE800G
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.9
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
230
+
Бонус: 4.6 !
Бонусная программа
Итого: 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-225-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Case Style:TO-225; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.9
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo60 V
collector- emitter voltage vceo max60 V
configurationSingle
dc collector/base gain hfe min100
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity500
height11.04 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length7.74 mm
manufacturerON Semiconductor
maximum collector cut-off current100 uA
maximum dc collector current4 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleThrough Hole
package / caseTO-225-3
packagingBulk
партномер8006782515
product categoryDarlington Transistors
rohsDetails
seriesMJE800
transistor polarityNPN
unit weight0.011923 oz
Время загрузки0:45:37
width2.66 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль