MJE5852G, Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJE5852G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJE5852G, Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW ...
ON Semiconductor
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г03.02.2024
Высота9.28мм
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor
740
+
Бонус: 14.8 !
Бонусная программа
Итого: 740
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
TRANSISTOR, PNP, TO-220AB; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:15hFE; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:MJxxxx Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Application Code:PHVS; Av Current Ic:8A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Continuous Collector Current Ic Max:8A; Current Ib:4A; Current Ic @ Vce Sat:4A; Current Ic Continuous a Max:8A; Current Ic hFE:5mA; Device Marking:MJE5852; External Depth:4.82mm; External Length / Height:30.02mm; External Width:10.28mm; Fall Time @ Ic:0.5µs; Full Power Rating Temperature:25°C; Hfe Min:5; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-65°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1.25°C/W; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-65°C; Power Dissipation Ptot Max:80W; Voltage Vces:450V
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г03.02.2024
Высота9.28мм
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor
БрендON Semiconductor***
Основные
число контактов3
collector- base voltage vcbo450 V
collector-emitter saturation voltage2 V
collector- emitter voltage vceo max400 V
configurationSingle
continuous collector current8 A
dc collector/base gain hfe min15
длина10.28мм
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity50
height15.75 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество элементов на ис1
length10.53 mm
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение эмиттер-база6 В
максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер)400 V
максимальное напряжение насыщения база-эмиттер1,5 В
максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер5 В
максимальное рассеяние мощности80 Вт
максимальный пост. ток коллектора8 A
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current8 A
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура-65 °C
минимальный коэффициент усиления по постоянному току5
minimum operating temperature-65 C
mounting styleThrough Hole
package / caseTO-220-3
packagingTube
партномер8001280779
pd - power dissipation80 W
product categoryBipolar Transistors-BJT
размеры9.28 x 10.28 x 4.82мм
rohsDetails
seriesMJE5852
тип корпусаTO-220AB
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
тип транзистораPNP
transistor configurationОдинарный
transistor polarityPNP
unit weight0.211644 oz
Время загрузки0:51:23
Ширина4.82 мм
width4.83 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль