| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 03.05.2024 |
| Высота | 15.75 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| configuration | Single |
| длина | 10.53 mm |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| hts | 8541.29.00.95 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Through Hole |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| material | Si |
| maximum collector base voltage | 350 V |
| maximum collector base voltage (v) | 350 |
| maximum collector emitter saturation voltage | 1@0.2A@1A V |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 1@0.2A@1A |
| maximum collector emitter voltage | 350 V |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 350 |
| maximum dc collector current | 1 A |
| maximum dc collector current (a) | 1 |
| maximum emitter base voltage | 5 V |
| maximum emitter base voltage (v) | 5 |
| maximum operating frequency | 10(Min)MHz |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation | 40000 mW |
| maximum power dissipation (mw) | 40000 |
| maximum transition frequency (mhz) | 10(Min) |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 30@0.3A@10V|10@1A@10V |
| minimum operating temperature (°c) | -65 |
| mounting | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 350 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 350 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | -65 to 150 ?C |
| package | 3TO-220AB |
| package height | 9.28(Max) |
| package length | 10.53(Max) |
| package type | TO-220 |
| package width | 4.83(Max) |
| packaging | Rail/Tube |
| партномер | 8002988016 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 40 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | PNP |
| product category | Bipolar Power |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 10 MHz |
| rad hard | No |
| размер фабричной упаковки | 50 |
| серия | MJE5731 |
| standard package name | TO-220 |
| supplier package | TO-220AB |
| tab | Tab |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor configuration | Single |
| transistor type | PNP |
| type | PNP |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| вид монтажа | Through Hole |
| Время загрузки | 0:45:39 |
| Ширина | 4.83 мм |
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
