MJE5731AG, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 375V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJE5731AG
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJE5731AG, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г6
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
360
+
Бонус: 7.2 !
Бонусная программа
Итого: 360
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор, PNP, 375 В, 1 А
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г6
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeThrough Hole
materialSi
maximum collector base voltage350 V dc
maximum collector base voltage (v)375
maximum collector-emitter saturation voltage (v)1@0.2A@1A
maximum collector emitter voltage350 V dc
maximum collector-emitter voltage (v)375
maximum dc collector current3 A
maximum dc collector current (a)1
maximum emitter base voltage5 V dc
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating frequency2 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation40 W
maximum power dissipation (mw)40000
minimum dc current gain30
minimum operating temperature (°c)-65
mountingThrough Hole
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-65 to 150
package typeTO-220
packagingTube
партномер8005371482
part statusActive
pcb changed3
pin count3
ppapNo
product categoryBipolar Power
standard package nameTO
supplier packageTO-220AB
tabTab
transistor configurationSingle
transistor typePNP
typePNP
Время загрузки0:50:27
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль