MJE371G, Bipolar Transistors - BJT 4A 40V 40W PNP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJE371G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJE371G, Bipolar Transistors - BJT 4A 40V 40W PNP
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1403
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1403
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
hts8541.29.00.95
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
materialSi
maximum collector base voltage (v)40
maximum collector cut-off current (na)100000
maximum collector-emitter voltage (v)40
maximum dc collector current (a)4
maximum emitter base voltage (v)4
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)4000
militaryNo
minimum dc current gain40@1A@1V
minimum operating temperature (°c)-65
mountingThrough Hole
number of elements per chip1
package height11.1(Max)
package length7.8(Max)
package width3(Max)
packagingBox
партномер8006209808
part statusActive
pcb changed3
pin count3
product categoryBipolar Power
supplier packageTO-225
tabTab
typePNP
Время загрузки0:50:27
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль