MJE350

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Биполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power
Вес и габариты
base product numberMJE350 ->
current - collector cutoff (max)100ВµA (ICBO)
current - collector (ic) (max)500mA
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power
Вес и габариты
base product numberMJE350 ->
current - collector cutoff (max)100ВµA (ICBO)
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce30 @ 50mA, 10V
длина7.8 mm
eccnEAR99
Высота 10.8 мм
htsus8541.29.0095
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.240
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
минимальная рабочая температура65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)3 V
напряжение коллектор-база (vcbo)3 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.300 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток0.5 A
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
packageTube
package / caseTO-225AA, TO-126-3
pd - рассеивание мощности20.8 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max20.8W
размер фабричной упаковки2000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияMJE350
supplier device packageSOT-32-3
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
transistor typePNP
упаковкаTube
упаковка / блокSOT-32-3
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)300V
Ширина2.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль