MJE350, Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJE350
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics MJE350, Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.06
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTСтандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.06
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
base product numberMJE350 ->
collector- base voltage vcbo3 V
collector- base voltage vcbo:300 V
collector-emitter saturation voltage0.5 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max300 V
collector- emitter voltage vceo max:300 V
configurationSingle
configuration:Single
continuous collector current0.5 A
continuous collector current:500 mA
current - collector cutoff (max)100ВµA (ICBO)
current - collector (ic) (max)500mA
dc collector/base gain hfe min30
dc collector/base gain hfe min:30
dc current gain hfe max240
dc current gain hfe max:240
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce30 @ 50mA, 10V
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo3 V
emitter- base voltage vebo:3 V
factory pack quantity2000
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
height10.8 mm(Max)
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length7.8 mm(Max)
manufacturerSTMicroelectronics
manufacturer:STMicroelectronics
maximum collector base voltage300 V
maximum collector emitter voltage-300 V
maximum dc collector current0.5 A
maximum dc collector current:500 mA
maximum emitter base voltage3 V
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation20.8 W
minimum dc current gain30
minimum operating temperature-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleThrough Hole
mounting style:Through Hole
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
packageTube
package / caseTO-225AA, TO-126-3
package / case:SOT-32-3
package typeSOT-32
packagingTube
packaging:Tube
партномер8004826877
pd - power dissipation20.8 W
pd - power dissipation:20.8 W
pin count3
power - max20.8W
product categoryBipolar Transistors-BJT
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
reach statusREACH Unaffected
rohsDetails
rohs statusROHS3 Compliant
series500V Transistors
series:MJE350
subcategory:Transistors
supplier device packageSOT-32-3
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarityPNP
transistor polarity:PNP
transistor typePNP
voltage - collector emitter breakdown (max)300V
Время загрузки13:57:56
width2.7 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль