Name: MJE3055T, MJE3055T NPN Transistor, 10 A, 60 V, 3-Pin TO-220
Brand: STMicroelectronics
SKU: MJE3055T

MJE3055T, MJE3055T NPN Transistor, 10 A, 60 V, 3-Pin TO-220

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics MJE3055T, MJE3055T NPN Transistor, 10 A ...

Подробное описание

Дата загрузки	18.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	STMicroelectronics
Бренд	STMicroelectronics

Все характеристики

350 ₽

– +

Бонус: 7 !

Бонусная программа

Итого: 350 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsA broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Дата загрузки	18.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	STMicroelectronics
Бренд	STMicroelectronics
Основные
collector- base voltage vcbo	70 V
collector- base voltage vcbo:	70 V
collector-emitter saturation voltage	1.1 V
collector-emitter saturation voltage:	1.1 V
collector- emitter voltage vceo max	60 V
collector- emitter voltage vceo max:	60 V
configuration	Single
configuration:	Single
continuous collector current	10 A
continuous collector current:	10 A
dc collector/base gain hfe min	20
dc collector/base gain hfe min:	20
dc current gain hfe max	70
dc current gain hfe max:	70
emitter- base voltage vebo	5 V
emitter- base voltage vebo:	5 V
factory pack quantity	1000
factory pack quantity: factory pack quantity:	1000
gain bandwidth product ft	2 MHz
gain bandwidth product ft:	2 MHz
height	9.15 mm(Max)
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
кол-во в упаковке	50
length	10.4 mm(Max)
manufacturer	STMicroelectronics
manufacturer:	STMicroelectronics
maximum collector base voltage	70 V
maximum collector emitter voltage	60 V
maximum dc collector current	10 A
maximum dc collector current:	10 A
maximum emitter base voltage	5 V
maximum operating frequency	2 MHz
maximum operating temperature	+150 °C
maximum operating temperature:	+150 C
maximum power dissipation	75 W
minimum dc current gain	20
minimum operating temperature	-55 C
mounting style	Through Hole
mounting style:	Through Hole
mounting type	Through Hole
number of elements per chip	1
package / case	TO-220-3
package / case:	TO-220-3
package type	TO-220
packaging	Tube
packaging:	Tube
партномер	8014493892
pd - power dissipation	75 W
pd - power dissipation:	75 W
pin count	3
product category	Bipolar Transistors-BJT
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
rohs	Details
series	500V Transistors
series:	MJE3055T
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor configuration	Single
transistor polarity	NPN
transistor polarity:	NPN
transistor type	NPN
unit weight	0.211644 oz
Время загрузки	13:57:56
width	4.6 mm(Max)

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

STMicroelectronics Транзисторы биполярные (BJTs)MJE3055T