MJE253G, Транзистор PNP 100В 4А [TO-126]

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJE253G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJE253G, Транзистор PNP 100В 4А [TO-126]
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.9
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
статический коэффициент передачи тока h21э мин40
72
+
Бонус: 1.44 !
Бонусная программа
Итого: 72
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
TRANSISTOR, PNP, -4A, -100V, TO225AA; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:40MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:40hFE; Transistor Case Style:TO-225; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):300mV; Current Ic Continuous a Max:1A; Current Ic hFE:180mA; Gain Bandwidth ft Typ:40MHz; Hfe Min:15; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Termination Type:Through Hole
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.9
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
статический коэффициент передачи тока h21э мин40
Структураpnp
БрендON Semiconductor***
Основные
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В100
Корпусto-126
граничная частота коэффициента передачи тока fгр.мгц40
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
максимальная рассеиваемая мощность ,вт01.05.2024
максимально допустимый ток к ( iк макс.а)4
макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(uкэо макс),в100
партномер9000159632
Время загрузки1:24:30
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль