MJE243G, Транзистор: NPN; биполярный; 100В; 4А; 15Вт; TO225

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJE243G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJE243G, Транзистор: NPN; биполярный; 100В ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.65
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
TRANSISTOR, NPN, 100V, 4A, TO-225,; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:40MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:40hFE; Transistor Case Style:TO-225; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):300mV; Complementary Device:MJE253; Continuous Collector Current Ic Max:4A; Current Ic Continuous a Max:1A; Current Ic hFE:1A; Gain Bandwidth ft Min:40MHz; Gain Bandwidth ft Typ:40MHz; Hfe Min:15; Operating Temperature Min:-65°C; Power Dissipation Ptot Max:15W; Termination Type:Through Hole; Voltage Vcbo:100V
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.65
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
collector- base voltage vcbo100 V
collector-emitter saturation voltage0.6 V
collector- emitter voltage vceo max100 V
configurationSingle
continuous collector current4 A
dc collector/base gain hfe min40
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo7 V
factory pack quantity500
gain bandwidth product ft40 MHz
height11.04 mm(Max)
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeThrough Hole
length7.74 mm(Max)
manufacturerON Semiconductor
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)1.8@200mA@2A
maximum collector base voltage100 V
maximum collector base voltage (v)100
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.3@50mA@500mA|0.6@100mA@1A
maximum collector emitter voltage100 V
maximum collector-emitter voltage (v)100
maximum dc collector current4 A
maximum dc collector current (a)4
maximum emitter base voltage7 V
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating frequency10 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation15 W
maximum power dissipation (mw)1500
maximum transition frequency (mhz)40(Min)
minimum dc current gain40
minimum operating temperature-65 C
minimum operating temperature (°c)-65
mountingThrough Hole
mounting styleThrough Hole
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
package / caseTO-225-3
package typeTO-225
packagingBulk
партномер8017537922
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation15 W
pin count3
ppapNo
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesMJE243
standard package nameTO
supplier packageTO-225
tabTab
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
typeNPN
unit weight0.025609 oz
Время загрузки0:50:35
width2.66 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль