MJE182G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 3 А

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJE182G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJE182G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 3 А
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.68
Высота11.04 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
29
+
Бонус: 0.58 !
Бонусная программа
Итого: 29
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, NPN, 80 В, 3 А
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.68
Высота11.04 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
КорпусTO-225AA
automotiveNo
collector- base voltage vcbo100 V
collector-emitter saturation voltage1.7 V
collector- emitter voltage vceo max80 V
configurationSingle
continuous collector current3 A
dc collector/base gain hfe min50
длина7.74 mm (Max)
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo7 V
eu rohsCompliant
factory pack quantity500
gain bandwidth product ft50 MHz
height11.04 mm(Max)
hts8541.29.00.95
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50
конфигурацияSingle
length7.74 mm(Max)
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
manufacturerON Semiconductor
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)1.5@150mA@1.5A|2@600mA@3A
maximum collector base voltage (v)100
maximum collector cut-off current (na)100000
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.9@150mA@1.5A|0.3@50mA@500mA|1.7@600mA@3A
maximum collector-emitter voltage (v)80
maximum dc collector current3 A
maximum dc collector current (a)3
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)12500
maximum transition frequency (mhz)50(Min)
militaryNo
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain50@100mA@1V|12@1.5A@1V|30@500mA@1V
minimum operating temperature-65 C
minimum operating temperature (°c)-65
mountingThrough Hole
mounting styleThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.7 V
непрерывный коллекторный ток3 A
number of elements per chip1
package / caseTO-225-3
package height11.04(Max)
package length7.74(Max)
package width2.66(Max)
packagingBox
партномер8020330891
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation1.5 W
pd - рассеивание мощности1.5 W
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)50 MHz
размер фабричной упаковки500
rohsDetails
seriesMJE182
серияMJE182
supplier packageTO-225
tabTab
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
transistor polarityNPN
typeNPN
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-225-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:24:01
Ширина2.66 м
width2.66 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль